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SI6473DQ-T1-E3

SI6473DQ-T1-E3

SI6473DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP

compliant

SI6473DQ-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 450mV @ 250µA (Min)
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 70 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.08W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-TSSOP
pacote / caixa 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
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Número da peça relacionada

SPU03N60C3BKMA1
FQPF10N60CT
FQPF10N60CT
$0 $/pedaço
NDD04N60ZT4G
NDD04N60ZT4G
$0 $/pedaço
SIRA34DP-T1-GE3
SI4420DYPBF
IRFR1010ZPBF
BSL207SP
BSL207SP
$0 $/pedaço
IXFX180N085
IXFX180N085
$0 $/pedaço

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