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SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

SIRA34DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

compliant

SIRA34DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.7mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1100 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.3W (Ta), 31.25W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SI4420DYPBF
IRFR1010ZPBF
BSL207SP
BSL207SP
$0 $/pedaço
IXFX180N085
IXFX180N085
$0 $/pedaço
IRF620L
IRF620L
$0 $/pedaço
IRFP4332-203PBF
NDS9407_G
NDS9407_G
$0 $/pedaço

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