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IPB120N06S403ATMA1

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IPB120N06S403ATMA1

MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3

compliant

IPB120N06S403ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.01442 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 120µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 13150 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 167W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SI4420DYPBF
IRFR1010ZPBF
BSL207SP
BSL207SP
$0 $/pedaço
IXFX180N085
IXFX180N085
$0 $/pedaço
IRF620L
IRF620L
$0 $/pedaço
IRFP4332-203PBF
NDS9407_G
NDS9407_G
$0 $/pedaço
BSP316PE6327T
HUFA76413P3
HUFA76413P3
$0 $/pedaço

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