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SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3

SI1013X-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3

não conforme

SI1013X-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.15736 -
6,000 $0.14782 -
15,000 $0.13829 -
30,000 $0.12684 -
75,000 $0.12207 -
6031 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 350mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 450mV @ 250µA (Min)
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 1.5 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±6V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-89-3
pacote / caixa SC-89, SOT-490
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Número da peça relacionada

FDN327N
FDN327N
$0 $/pedaço
IPB60R125C6ATMA1
FSS273-TL-E
FSS273-TL-E
$0 $/pedaço
FDMS4435BZ
FDMS4435BZ
$0 $/pedaço
IRF640NPBF
FCPF380N60E
FCPF380N60E
$0 $/pedaço

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