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FDN327N

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onsemi

MOSFET N-CH 20V 2A SUPERSOT3

FDN327N Ficha de dados

compliant

FDN327N Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.13685 -
6,000 $0.12856 -
15,000 $0.12026 -
30,000 $0.11031 -
75,000 $0.10616 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 70mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.3 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 423 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 500mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

IPB60R125C6ATMA1
FSS273-TL-E
FSS273-TL-E
$0 $/pedaço
FDMS4435BZ
FDMS4435BZ
$0 $/pedaço
IRF640NPBF
FCPF380N60E
FCPF380N60E
$0 $/pedaço
IRFI9Z24GPBF
IRFI9Z24GPBF
$0 $/pedaço

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