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IRF640NPBF

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MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

não conforme

IRF640NPBF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.28000 $1.28
50 $1.03300 $51.65
100 $0.91140 $91.14
500 $0.72026 $360.13
1,000 $0.58126 -
61687 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 150mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1160 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

FCPF380N60E
FCPF380N60E
$0 $/pedaço
IRFI9Z24GPBF
IRFI9Z24GPBF
$0 $/pedaço
NTMFS4937NT1G
NTMFS4937NT1G
$0 $/pedaço

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