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IRFBC40

IRFBC40

IRFBC40

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB

IRFBC40 Ficha de dados

compliant

IRFBC40 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1300 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IRLU8729-701PBF
PH2030AL,115
PH2030AL,115
$0 $/pedaço
PHU11NQ10T,127
PHU11NQ10T,127
$0 $/pedaço
SI2392DS-T1-GE3
IXTH152N085T
IXTH152N085T
$0 $/pedaço
RSS070N05TB1
RSS070N05TB1
$0 $/pedaço
IXFR13N50
IXFR13N50
$0 $/pedaço
ZXM64P035L3
ZXM64P035L3
$0 $/pedaço
SUD35N05-26L-E3
IPD60R800CEATMA1

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