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PHU11NQ10T,127

PHU11NQ10T,127

PHU11NQ10T,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 100V 10.9A IPAK

compliant

PHU11NQ10T,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10.9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 14.7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 360 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 57.7W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-Pak
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

SI2392DS-T1-GE3
IXTH152N085T
IXTH152N085T
$0 $/pedaço
RSS070N05TB1
RSS070N05TB1
$0 $/pedaço
IXFR13N50
IXFR13N50
$0 $/pedaço
ZXM64P035L3
ZXM64P035L3
$0 $/pedaço
SUD35N05-26L-E3
IPD60R800CEATMA1
IRFR3707TRL
STD38NH02L-1
STD38NH02L-1
$0 $/pedaço
SUM70N03-09CP-E3

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