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IPD60R800CEATMA1

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IPD60R800CEATMA1

MOSFET N-CH 600V 5.6A TO252-3

compliant

IPD60R800CEATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 800mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 170µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 17.2 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 373 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 48W (Tc)
temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRFR3707TRL
STD38NH02L-1
STD38NH02L-1
$0 $/pedaço
SUM70N03-09CP-E3
IRLU3714ZPBF
BSO4420T
BSO4420T
$0 $/pedaço
SI1417EDH-T1-E3
IRFP354PBF
IRFP354PBF
$0 $/pedaço
IXTK80N25
IXTK80N25
$0 $/pedaço
STL150N3LLH5
STL150N3LLH5
$0 $/pedaço

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