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IRFBC30AS

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Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 3.6A D2PAK

não conforme

IRFBC30AS Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 510 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 74W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IXFH13N100
IXFH13N100
$0 $/pedaço
BUZ73E3046XK
NTD60N02RG
NTD60N02RG
$0 $/pedaço
IRF1404SPBF
STW21NM50N
STW21NM50N
$0 $/pedaço
DMN3052L-7
DMN3052L-7
$0 $/pedaço
IPI12CNE8N G
SI8405DB-T1-E1
SI8405DB-T1-E1
$0 $/pedaço

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