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SI8405DB-T1-E1

SI8405DB-T1-E1

SI8405DB-T1-E1

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 12V 3.6A 4MICROFOOT

não conforme

SI8405DB-T1-E1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.6A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 55mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 950mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.47W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 4-Microfoot
pacote / caixa 4-XFBGA, CSPBGA
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Número da peça relacionada

APT9F100S
APT9F100S
$0 $/pedaço
IRFI9610G
IRFI9610G
$0 $/pedaço
AUIRF3710ZS
IRFZ34EPBF
IRLU014N
IRLU014N
$0 $/pedaço
FQPF6N15
FQPF6N15
$0 $/pedaço
IPB048N06LG

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