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IXFH13N100

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IXYS

MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO247AD

não conforme

IXFH13N100 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $13.37567 $401.2701
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 900mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXFH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

BUZ73E3046XK
NTD60N02RG
NTD60N02RG
$0 $/pedaço
IRF1404SPBF
STW21NM50N
STW21NM50N
$0 $/pedaço
DMN3052L-7
DMN3052L-7
$0 $/pedaço
IPI12CNE8N G
SI8405DB-T1-E1
SI8405DB-T1-E1
$0 $/pedaço
APT9F100S
APT9F100S
$0 $/pedaço

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