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IRF520PBF-BE3

IRF520PBF-BE3

IRF520PBF-BE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB

não conforme

IRF520PBF-BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.23000 $1.23
500 $1.2177 $608.85
1000 $1.2054 $1205.4
1500 $1.1931 $1789.65
2000 $1.1808 $2361.6
2500 $1.1685 $2921.25
2332 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 270mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 360 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 60W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

BUK9Y25-60E,115
BSS84W-7-F
BSS84W-7-F
$0 $/pedaço
IXKC23N60C5
IXKC23N60C5
$0 $/pedaço
FDT86246
FDT86246
$0 $/pedaço
FQPF20N06
FDD120AN15A0
FDD120AN15A0
$0 $/pedaço
IXFK170N20P
IXFK170N20P
$0 $/pedaço
STW27N60M2-EP
STB13N60M2
STB13N60M2
$0 $/pedaço

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