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STB13N60M2

STB13N60M2

STB13N60M2

MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK

não conforme

STB13N60M2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.47263 -
2,000 $1.38188 -
5,000 $1.33650 -
2000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 380mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 580 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 110W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

NTH4L160N120SC1
NTH4L160N120SC1
$0 $/pedaço
SI4156DY-T1-GE3
IPP60R250CPXKSA1
STB38N65M5
STB38N65M5
$0 $/pedaço
SI2307BDS-T1-E3
TP65H070LDG-TR
TP65H070LDG-TR
$0 $/pedaço
PMN70EPEX
PMN70EPEX
$0 $/pedaço

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