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FQPF20N06

FQPF20N06

FQPF20N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

compliant

FQPF20N06 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.37000 $1.37
10 $1.21100 $12.11
100 $0.95670 $95.67
500 $0.74196 $370.98
1,000 $0.58575 -
1124 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 60mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 590 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 30W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

FDD120AN15A0
FDD120AN15A0
$0 $/pedaço
IXFK170N20P
IXFK170N20P
$0 $/pedaço
STW27N60M2-EP
STB13N60M2
STB13N60M2
$0 $/pedaço
NTH4L160N120SC1
NTH4L160N120SC1
$0 $/pedaço
SI4156DY-T1-GE3
IPP60R250CPXKSA1

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