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TPH1R306PL,L1Q

TPH1R306PL,L1Q

TPH1R306PL,L1Q

MOSFET N-CH 60V 100A 8SOP

não conforme

TPH1R306PL,L1Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.98000 $1.98
500 $1.9602 $980.1
1000 $1.9404 $1940.4
1500 $1.9206 $2880.9
2000 $1.9008 $3801.6
2500 $1.881 $4702.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.34mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 91 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8100 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 960mW (Ta), 170W (Tc)
temperatura de operação 175°C
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOP Advance (5x5)
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

SQJQ150E-T1_GE3
FDN302P
FDN302P
$0 $/pedaço
IXTA8N65X2
IXTA8N65X2
$0 $/pedaço
STFI15N65M5
STFI15N65M5
$0 $/pedaço
IXTQ82N25P
IXTQ82N25P
$0 $/pedaço
SISS64DN-T1-GE3
DMN3025LSS-13
DMT5015LFDF-13

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