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SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

SISS64DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8S

não conforme

SISS64DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.65321 -
6,000 $0.62254 -
15,000 $0.60064 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.1mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (máx.) +20V, -16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3420 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8S
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8S
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Número da peça relacionada

DMN3025LSS-13
DMT5015LFDF-13
SIDR870ADP-T1-GE3
SQS401EN-T1_BE3
DMN1150UFB-7B
STP210N75F6
STP210N75F6
$0 $/pedaço
SIHB105N60EF-GE3
SUD19N20-90-BE3
RM5N150S8
RM5N150S8
$0 $/pedaço
CSD16322Q5C
CSD16322Q5C
$0 $/pedaço

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