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IPP086N10N3GXKSA1

IPP086N10N3GXKSA1

IPP086N10N3GXKSA1

MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

compliant

IPP086N10N3GXKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.85000 $1.85
10 $1.67600 $16.76
100 $1.36580 $136.58
500 $1.08394 $541.97
1,000 $0.91482 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.6mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 75µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 55 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3980 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SISS64DN-T1-GE3
DMN3025LSS-13
DMT5015LFDF-13
SIDR870ADP-T1-GE3
SQS401EN-T1_BE3
DMN1150UFB-7B
STP210N75F6
STP210N75F6
$0 $/pedaço
SIHB105N60EF-GE3
SUD19N20-90-BE3
RM5N150S8
RM5N150S8
$0 $/pedaço

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