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TK12Q60W,S1VQ

TK12Q60W,S1VQ

TK12Q60W,S1VQ

MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK

não conforme

TK12Q60W,S1VQ Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.65000 $1.65
500 $1.6335 $816.75
1000 $1.617 $1617
1500 $1.6005 $2400.75
2000 $1.584 $3168
2500 $1.5675 $3918.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 11.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 340mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.7V @ 600µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 890 pF @ 300 V
característica fet Super Junction
dissipação de potência (máx.) 100W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-Pak
pacote / caixa TO-251-3 Stub Leads, IPak
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Número da peça relacionada

IPB80N03S4L03
DMP6023LEQ-13
SI2309CDS-T1-GE3
BUK9M42-60EX
BUK9M42-60EX
$0 $/pedaço
IRFPF50PBF
IRFPF50PBF
$0 $/pedaço
3LP01M-TL-E
3LP01M-TL-E
$0 $/pedaço
IPI50R299CP
IPP50R199CPXKSA1
IPB022N04LG

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