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IPI50R299CP

IPI50R299CP

IPI50R299CP

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

IPI50R299CP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.88000 $0.88
500 $0.8712 $435.6
1000 $0.8624 $862.4
1500 $0.8536 $1280.4
2000 $0.8448 $1689.6
2500 $0.836 $2090
9978 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 299mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 440µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1190 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO262-3-1
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

IPP50R199CPXKSA1
IPB022N04LG
IRFR7540TRPBF
UF3C065080B3
UF3C065080B3
$0 $/pedaço
SCT4062KEHRC11
BSN20-7
BSN20-7
$0 $/pedaço
STF21N90K5
STF21N90K5
$0 $/pedaço

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