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PJF9NA90_T0_00001

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PJF9NA90_T0_00001

900V N-CHANNEL MOSFET

não conforme

PJF9NA90_T0_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.61000 $2.61
500 $2.5839 $1291.95
1000 $2.5578 $2557.8
1500 $2.5317 $3797.55
2000 $2.5056 $5011.2
2500 $2.4795 $6198.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 900 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.4Ohm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1634 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor ITO-220AB
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

BSN20-7
BSN20-7
$0 $/pedaço
STF21N90K5
STF21N90K5
$0 $/pedaço
IXFQ28N60P3
IXFQ28N60P3
$0 $/pedaço
FDMS86102LZ
FDMS86102LZ
$0 $/pedaço
IPI60R165CPAKSA1
STFI13N65M2
STFI13N65M2
$0 $/pedaço
SI7850DP-T1-E3
SI7850DP-T1-E3
$0 $/pedaço
IRF9Z30PBF-BE3
IRF9Z30PBF-BE3
$0 $/pedaço
IXTH120P065T
IXTH120P065T
$0 $/pedaço

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