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FDMS86102LZ

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MOSFET N-CH 100V 7A/22A 8PQFN

não conforme

FDMS86102LZ Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.81675 -
6,000 $0.78650 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7A (Ta), 22A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 25mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1305 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PQFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IPI60R165CPAKSA1
STFI13N65M2
STFI13N65M2
$0 $/pedaço
SI7850DP-T1-E3
SI7850DP-T1-E3
$0 $/pedaço
IRF9Z30PBF-BE3
IRF9Z30PBF-BE3
$0 $/pedaço
IXTH120P065T
IXTH120P065T
$0 $/pedaço
SI2316BDS-T1-E3

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