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IPB80N03S4L03

IPB80N03S4L03

IPB80N03S4L03

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

IPB80N03S4L03 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.81000 $0.81
500 $0.8019 $400.95
1000 $0.7938 $793.8
1500 $0.7857 $1178.55
2000 $0.7776 $1555.2
2500 $0.7695 $1923.75
2000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.7mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 45µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 75 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 94W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3-2
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

DMP6023LEQ-13
SI2309CDS-T1-GE3
BUK9M42-60EX
BUK9M42-60EX
$0 $/pedaço
IRFPF50PBF
IRFPF50PBF
$0 $/pedaço
3LP01M-TL-E
3LP01M-TL-E
$0 $/pedaço
IPI50R299CP
IPP50R199CPXKSA1
IPB022N04LG

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