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STP27N60M2-EP

STP27N60M2-EP

STP27N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 20A TO220

compliant

STP27N60M2-EP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $6.15000 $6.15
50 $5.01020 $250.51
100 $4.59660 $459.66
500 $3.79008 $1895.04
1,000 $3.25240 -
2,500 $3.10764 -
20 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 163mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.75V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1320 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 170W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

XP232N0301TR-G
FDP7030L
SIHK075N60E-T1-GE3
2N7002-G
2N7002-G
$0 $/pedaço
MMDFS3P303R2
MMDFS3P303R2
$0 $/pedaço
APT21M100J
APT21M100J
$0 $/pedaço
IXTA1R4N100P
IXTA1R4N100P
$0 $/pedaço
SI7615CDN-T1-GE3
FDA2712
FDA2712
$0 $/pedaço

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