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STP25N60M2-EP

STP25N60M2-EP

STP25N60M2-EP

MOSFET N-CH 600V 18A TO220

não conforme

STP25N60M2-EP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.84000 $4.84
50 $3.94420 $197.21
100 $3.61860 $361.86
500 $2.98368 $1491.84
1,000 $2.56040 -
2,500 $2.44644 -
1097 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 188mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.75V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1090 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SQJ158EP-T1_GE3
SIR618DP-T1-GE3
FDD8453LZ-F085
IXTY18P10T
IXTY18P10T
$0 $/pedaço
IPW60R160C6FKSA1
IXFZ140N25T
IXFZ140N25T
$0 $/pedaço
NVTYS004N04CTWG
NVTYS004N04CTWG
$0 $/pedaço
APT40N60JCU3

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