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SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

SIR618DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 14.2A PPAK SO-8

não conforme

SIR618DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.54694 -
6,000 $0.52126 -
15,000 $0.50292 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 95mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 7.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 740 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

FDD8453LZ-F085
IXTY18P10T
IXTY18P10T
$0 $/pedaço
IPW60R160C6FKSA1
IXFZ140N25T
IXFZ140N25T
$0 $/pedaço
NVTYS004N04CTWG
NVTYS004N04CTWG
$0 $/pedaço
APT40N60JCU3
IXTQ180N10T
IXTQ180N10T
$0 $/pedaço
TP2540N3-G
TP2540N3-G
$0 $/pedaço

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