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SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3

SQJ158EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 60V 23A PPAK SO-8

não conforme

SQJ158EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.28476 -
6,000 $0.26628 -
15,000 $0.25704 -
30,000 $0.25200 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 23A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 33mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SIR618DP-T1-GE3
FDD8453LZ-F085
IXTY18P10T
IXTY18P10T
$0 $/pedaço
IPW60R160C6FKSA1
IXFZ140N25T
IXFZ140N25T
$0 $/pedaço
NVTYS004N04CTWG
NVTYS004N04CTWG
$0 $/pedaço
APT40N60JCU3
IXTQ180N10T
IXTQ180N10T
$0 $/pedaço

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