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STP11NM60N

STP11NM60N

STP11NM60N

MOSFET N-CH 600V 10A TO220AB

compliant

STP11NM60N Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.97120 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 450mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 850 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 90W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SUM27N20-78-E3
SUM27N20-78-E3
$0 $/pedaço
HUF76639P3
HUF76639P3
$0 $/pedaço
FQB5N20LTM
FQB5N20LTM
$0 $/pedaço
SI1039X-T1-E3
SI1039X-T1-E3
$0 $/pedaço
IRFW520ATM
IRFU4105Z
IRFU4105Z
$0 $/pedaço
MCPF05N80-BP
IPP35CN10NGXKSA1
IRF7468TRPBF
SPB16N50C3ATMA1

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