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IRFW520ATM

IRFW520ATM

IRFW520ATM

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

IRFW520ATM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 200mOhm @ 4.6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 480 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRFU4105Z
IRFU4105Z
$0 $/pedaço
MCPF05N80-BP
IPP35CN10NGXKSA1
IRF7468TRPBF
SPB16N50C3ATMA1
FDV303N_NB9U008
FDV303N_NB9U008
$0 $/pedaço
GA03JT12-247
IRF7526D1PBF
RSS100N03TB1
RSS100N03TB1
$0 $/pedaço

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