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SUM27N20-78-E3

SUM27N20-78-E3

SUM27N20-78-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 200V 27A TO263

compliant

SUM27N20-78-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 27A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 78mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2150 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.75W (Ta), 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

HUF76639P3
HUF76639P3
$0 $/pedaço
FQB5N20LTM
FQB5N20LTM
$0 $/pedaço
SI1039X-T1-E3
SI1039X-T1-E3
$0 $/pedaço
IRFW520ATM
IRFU4105Z
IRFU4105Z
$0 $/pedaço
MCPF05N80-BP
IPP35CN10NGXKSA1
IRF7468TRPBF
SPB16N50C3ATMA1
FDV303N_NB9U008
FDV303N_NB9U008
$0 $/pedaço

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