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RZY200P01TL

RZY200P01TL

RZY200P01TL

MOSFET P-CH 12V 20A TCPT3

não conforme

RZY200P01TL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.68600 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 12 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs -
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 20W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TCPT3
pacote / caixa 3-SMD, Flat Leads
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Número da peça relacionada

STF26NM60N-H
STF26NM60N-H
$0 $/pedaço
NVD5414NT4G
NVD5414NT4G
$0 $/pedaço
IRF7807VD1
IRF2903ZSTRLP
BSP125 E6433
IRF7521D1
IRF7521D1
$0 $/pedaço
IRFBC30AS
IRFBC30AS
$0 $/pedaço
IXFH13N100
IXFH13N100
$0 $/pedaço

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