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R6020ENJTL

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MOSFET N-CH 600V 20A LPTS

não conforme

R6020ENJTL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $1.26295 -
2,000 $1.21940 -
268 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 196mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 60 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 40W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LPTS
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIR640ADP-T1-GE3
STD7ANM60N
STD7ANM60N
$0 $/pedaço
IRFBC30STRLPBF
IRFBC30STRLPBF
$0 $/pedaço
R6000ENHTB1
R6000ENHTB1
$0 $/pedaço
STW22N95K5
STW22N95K5
$0 $/pedaço
RM3400
RM3400
$0 $/pedaço
RCD075N19TL
RCD075N19TL
$0 $/pedaço

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