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RCD075N19TL

RCD075N19TL

RCD075N19TL

MOSFET N-CH 190V 7.5A CPT3

não conforme

RCD075N19TL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.39200 -
1 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 190 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 336mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 850mW (Ta), 20W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor CPT3
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

DMN2040UVT-13
SI7629DN-T1-GE3
IXTK200N10L2
IXTK200N10L2
$0 $/pedaço
IRFP450PBF
IRFP450PBF
$0 $/pedaço
FDS7788
FDS7788
$0 $/pedaço
SPP80N06S-08
SIHB16N50C-E3
SIHB16N50C-E3
$0 $/pedaço
VN2106N3-G
VN2106N3-G
$0 $/pedaço
IRLS4030TRL7PP

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