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SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

SIR640ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 41.6A/100A PPAK

compliant

SIR640ADP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.98270 -
6,000 $0.94860 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 41.6A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 90 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4240 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 6.25W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

STD7ANM60N
STD7ANM60N
$0 $/pedaço
IRFBC30STRLPBF
IRFBC30STRLPBF
$0 $/pedaço
R6000ENHTB1
R6000ENHTB1
$0 $/pedaço
STW22N95K5
STW22N95K5
$0 $/pedaço
RM3400
RM3400
$0 $/pedaço
RCD075N19TL
RCD075N19TL
$0 $/pedaço
DMN2040UVT-13

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