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RJK6014DPP-E0#T2

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RJK6014DPP-E0#T2

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

compliant

RJK6014DPP-E0#T2 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $5.12000 $5.12
500 $5.0688 $2534.4
1000 $5.0176 $5017.6
1500 $4.9664 $7449.6
2000 $4.9152 $9830.4
2500 $4.864 $12160
5107 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 575mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 45 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1800 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 35W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220FP
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

NDF10N60ZH
NDF10N60ZH
$0 $/pedaço
IPI50R140CP
BSS138K-7
BSS138K-7
$0 $/pedaço
DMT4003SCT
DMT4003SCT
$0 $/pedaço
SQJ476EP-T1_BE3
SI5468DC-T1-GE3
IXTP20N65X2M
IXTP20N65X2M
$0 $/pedaço
RFD8P06LE
SQJQ402E-T1_GE3

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