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SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

SQJQ402E-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

compliant

SQJQ402E-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $1.04610 -
6,000 $1.00980 -
10,000 $0.99000 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 260 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 13500 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 8 x 8
pacote / caixa PowerPAK® 8 x 8
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Número da peça relacionada

STB19NF20
STB19NF20
$0 $/pedaço
BUK7Y2R5-40HX
BUK7Y2R5-40HX
$0 $/pedaço
FDMC8360L
FDMC8360L
$0 $/pedaço
RS1E350BNTB
RS1E350BNTB
$0 $/pedaço
FDC654P
FDC654P
$0 $/pedaço
APT58F50J
APT58F50J
$0 $/pedaço
TN0106N3-G-P013
DMT10H032LSS-13
IRF341
IRF341
$0 $/pedaço

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