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RFD8P06LE

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P-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

RFD8P06LE Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.30000 $0.3
500 $0.297 $148.5
1000 $0.294 $294
1500 $0.291 $436.5
2000 $0.288 $576
2500 $0.285 $712.5
7200 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 5V
rds em (máx.) @ id, vgs 300mOhm @ 8A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 675 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 48W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-PAK
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

SQJQ402E-T1_GE3
STB19NF20
STB19NF20
$0 $/pedaço
BUK7Y2R5-40HX
BUK7Y2R5-40HX
$0 $/pedaço
FDMC8360L
FDMC8360L
$0 $/pedaço
RS1E350BNTB
RS1E350BNTB
$0 $/pedaço
FDC654P
FDC654P
$0 $/pedaço
APT58F50J
APT58F50J
$0 $/pedaço
TN0106N3-G-P013
DMT10H032LSS-13

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