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NP109N04PUG-E1-AY

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MOSFET N-CH 40V 110A TO263-3

não conforme

NP109N04PUG-E1-AY Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 110A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.3mOhm @ 55A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 15750 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.8W (Ta), 220W (Tc)
temperatura de operação 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SPD26N06S2L-35
NTP8G202NG
NTP8G202NG
$0 $/pedaço
2N7002BKMB,315
NTLJF3118NTAG
NTLJF3118NTAG
$0 $/pedaço
BSO201SPH
BSO201SPH
$0 $/pedaço
FQD5N20LTF
PMN23UN,165
PMN23UN,165
$0 $/pedaço
IRF9Z34NSPBF
IXFH26N50
IXFH26N50
$0 $/pedaço
IXTC230N085T
IXTC230N085T
$0 $/pedaço

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