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IRF9Z34NSPBF

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MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK

não conforme

IRF9Z34NSPBF Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 100mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 35 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 620 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 68W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IXFH26N50
IXFH26N50
$0 $/pedaço
IXTC230N085T
IXTC230N085T
$0 $/pedaço
IPP037N06L3G
NVMFS5C442NLWFT3G
NVMFS5C442NLWFT3G
$0 $/pedaço
PHB176NQ04T,118
PHB176NQ04T,118
$0 $/pedaço
ZVN2106ASTOB
AUIRF7739L2
FQB4P25TM
FQB4P25TM
$0 $/pedaço
R6030KNZC8
R6030KNZC8
$0 $/pedaço
SI3483DV-T1-GE3

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