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IXFH26N50

IXFH26N50

IXFH26N50

IXYS

MOSFET N-CH 500V 26A TO247AD

não conforme

IXFH26N50 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $9.98000 $9.98
30 $8.17967 $245.3901
120 $7.38150 $885.78
510 $6.18451 $3154.1001
1,020 $5.58600 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 26A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 200mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 160 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXFH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IXTC230N085T
IXTC230N085T
$0 $/pedaço
IPP037N06L3G
NVMFS5C442NLWFT3G
NVMFS5C442NLWFT3G
$0 $/pedaço
PHB176NQ04T,118
PHB176NQ04T,118
$0 $/pedaço
ZVN2106ASTOB
AUIRF7739L2
FQB4P25TM
FQB4P25TM
$0 $/pedaço
R6030KNZC8
R6030KNZC8
$0 $/pedaço
SI3483DV-T1-GE3

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