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RM5N800TI

RM5N800TI

RM5N800TI

Rectron USA

MOSFET N-CHANNEL 800V 5A TO220F

compliant

RM5N800TI Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.67000 $0.67
500 $0.6633 $331.65
1000 $0.6566 $656.6
1500 $0.6499 $974.85
2000 $0.6432 $1286.4
2500 $0.6365 $1591.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 800 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1320 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 32.4W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

STU6N60M2
STU6N60M2
$0 $/pedaço
SQJQ404E-T1_GE3
SI2323DDS-T1-BE3
PSMN4R3-30PL,127
NTHL027N65S3HF
NTHL027N65S3HF
$0 $/pedaço
RM35P30LD
RM35P30LD
$0 $/pedaço
DMP21D0UT-7
DMP21D0UT-7
$0 $/pedaço
IXTT68P20T
IXTT68P20T
$0 $/pedaço
SIRA20BDP-T1-GE3

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