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SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

SQJQ404E-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8

SOT-23

não conforme

SQJQ404E-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $1.32189 -
6,000 $1.27602 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 200A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.72mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 270 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 16480 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 8 x 8
pacote / caixa PowerPAK® 8 x 8
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Número da peça relacionada

SI2323DDS-T1-BE3
PSMN4R3-30PL,127
NTHL027N65S3HF
NTHL027N65S3HF
$0 $/pedaço
RM35P30LD
RM35P30LD
$0 $/pedaço
DMP21D0UT-7
DMP21D0UT-7
$0 $/pedaço
IXTT68P20T
IXTT68P20T
$0 $/pedaço
SIRA20BDP-T1-GE3

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