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PJE8402_R1_00001

PJE8402_R1_00001

PJE8402_R1_00001

20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJE8402_R1_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.47000 $0.47
500 $0.4653 $232.65
1000 $0.4606 $460.6
1500 $0.4559 $683.85
2000 $0.4512 $902.4
2500 $0.4465 $1116.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 700mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 150mOhm @ 700mA, 4,5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 1.6 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 92 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-523
pacote / caixa SOT-523
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Número da peça relacionada

SI1480DH-T1-GE3
NX3020NAK,215
NX3020NAK,215
$0 $/pedaço
RM830
RM830
$0 $/pedaço
CSD18541F5T
CSD18541F5T
$0 $/pedaço
SFI9Z14TU
FQI7N10LTU
NTZS3151PT1H
NTZS3151PT1H
$0 $/pedaço

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