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ISC007N04NM6ATMA1

ISC007N04NM6ATMA1

ISC007N04NM6ATMA1

TRENCH <= 40V

compliant

ISC007N04NM6ATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.80000 $3.8
500 $3.762 $1881
1000 $3.724 $3724
1500 $3.686 $5529
2000 $3.648 $7296
2500 $3.61 $9025
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 48A (Ta), 381A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 0.7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 1.05mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 117 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8400 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3W (Ta), 188W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TDSON-8 FL
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IRFH6200TRPBF
SIHF065N60E-GE3
PMN42XPE,115
PMN42XPE,115
$0 $/pedaço
SI1012X-T1-GE3
SI1012X-T1-GE3
$0 $/pedaço
IPB60R280C6ATMA1
STL57N65M5
STL57N65M5
$0 $/pedaço
IPI90R1K2C3XKSA2
SI2306BDS-T1-GE3
PMCM4401UNEZ
PMCM4401UNEZ
$0 $/pedaço
SIHP125N60EF-GE3

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