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SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3

SI1012X-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3

compliant

SI1012X-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.14520 -
6,000 $0.13640 -
15,000 $0.12760 -
30,000 $0.11704 -
75,000 $0.11264 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 500mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.8V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 700mOhm @ 600mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 900mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 0.75 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±6V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-89-3
pacote / caixa SC-89, SOT-490
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Número da peça relacionada

IPB60R280C6ATMA1
STL57N65M5
STL57N65M5
$0 $/pedaço
IPI90R1K2C3XKSA2
SI2306BDS-T1-GE3
PMCM4401UNEZ
PMCM4401UNEZ
$0 $/pedaço
SIHP125N60EF-GE3
PSMN7R6-60BS,118
XP263N1001TR-G
SQ3469EV-T1_GE3

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