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SI1480DH-T1-GE3

SI1480DH-T1-GE3

SI1480DH-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6

compliant

SI1480DH-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 200mOhm @ 1.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 130 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-70-6
pacote / caixa 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
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Número da peça relacionada

NX3020NAK,215
NX3020NAK,215
$0 $/pedaço
RM830
RM830
$0 $/pedaço
CSD18541F5T
CSD18541F5T
$0 $/pedaço
SFI9Z14TU
FQI7N10LTU
NTZS3151PT1H
NTZS3151PT1H
$0 $/pedaço
IRFH6200TRPBF

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