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NDTL01N60ZT3G

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 250MA SOT223

não conforme

NDTL01N60ZT3G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 250mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15Ohm @ 400mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 50µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 4.9 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 92 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-223 (TO-261)
pacote / caixa TO-261-4, TO-261AA
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Número da peça relacionada

IRFR3707ZTRRPBF
IXFH88N20Q
IXFH88N20Q
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IXFN180N07
IXFN180N07
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IXTP90N055T
IXTP90N055T
$0 $/pedaço
SI7445DP-T1-E3
SI7445DP-T1-E3
$0 $/pedaço
FQB3N25TM
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IRF5806
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FQP4N60
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