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IXFN180N07

IXFN180N07

IXFN180N07

IXYS

MOSFET N-CH 70V 180A SOT-227B

não conforme

IXFN180N07 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10 $23.18100 $231.81
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 70 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 8mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 480 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 520W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

IXTP90N055T
IXTP90N055T
$0 $/pedaço
SI7445DP-T1-E3
SI7445DP-T1-E3
$0 $/pedaço
FQB3N25TM
FQB3N25TM
$0 $/pedaço
IRF5806
IRF5806
$0 $/pedaço
FQP4N60
FQP4N60
$0 $/pedaço
FQB6N90TM_AM002
FQB6N90TM_AM002
$0 $/pedaço
FDMS1D4N03S
FDMS1D4N03S
$0 $/pedaço
SI4486EY-T1-E3
SI4486EY-T1-E3
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IXTV120N15T
IXTV120N15T
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