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IXFH88N20Q

IXFH88N20Q

IXFH88N20Q

IXYS

MOSFET N-CH 200V 88A TO247AD

não conforme

IXFH88N20Q Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $10.85967 $325.7901
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 88A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 30mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 146 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4150 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 500W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXFH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IXFN180N07
IXFN180N07
$0 $/pedaço
IXTP90N055T
IXTP90N055T
$0 $/pedaço
SI7445DP-T1-E3
SI7445DP-T1-E3
$0 $/pedaço
FQB3N25TM
FQB3N25TM
$0 $/pedaço
IRF5806
IRF5806
$0 $/pedaço
FQP4N60
FQP4N60
$0 $/pedaço
FQB6N90TM_AM002
FQB6N90TM_AM002
$0 $/pedaço
FDMS1D4N03S
FDMS1D4N03S
$0 $/pedaço
SI4486EY-T1-E3
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