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FQPF630

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onsemi

MOSFET N-CH 200V 6.3A TO220F

FQPF630 Ficha de dados

compliant

FQPF630 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.41000 $1.41
10 $1.25200 $12.52
100 $0.99670 $99.67
500 $0.78024 $390.12
1,000 $0.62275 -
1833 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 400mOhm @ 3.15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 25 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±25V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 550 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 38W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220F-3
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

NVMFD6H852NLWFT1G
NVMFD6H852NLWFT1G
$0 $/pedaço
R6511END3TL1
R6511END3TL1
$0 $/pedaço
E3M0120090D
E3M0120090D
$0 $/pedaço
DMN65D8LQ-7
DMN65D8LQ-7
$0 $/pedaço
FQPF47P06
FQPF47P06
$0 $/pedaço
RM115N65T2
RM115N65T2
$0 $/pedaço
RQ1E100XNTR
RQ1E100XNTR
$0 $/pedaço
HUF76609D3ST
HUF76609D3ST
$0 $/pedaço

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